N-Kanal-Transistor NTD3055L104G, D-PAK ( TO-252 ), TO-252, 60V, 12A, 10uA, 0.089 Ohms, TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ), 60V. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-252. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.089 Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 60V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 40 ns. C(in): 316pF. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 440pF. Drain-Source-Schutz: ja. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 12A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.104 Ohms @ 6A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 20 ns. Funktion: Logikpegel, ID-Impuls 45A/10us. G-S-Schutz: nein. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Gate/Source-Spannung Vgs: 15V. Herstellerkennzeichnung: 55L104G. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 55L104G. IDss (min): 1uA. Id(imp): 45A. Kanaltyp: N. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Kosten): 105pF. Maximale Temperatur: +175°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 48W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 48W. RoHS: ja. Td(off): 19 ns. Td(on): 9.2 ns. Technologie: Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 22:29