N-Kanal-Transistor NDB6030L, 52A, 52A, 0.011 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. ID (T=25°C): 52A. IDSS (max): 52A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.011 Ohms. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Spannung Vds(max): 30 v. Funktion: Logikpegel-Verbesserungsmodus. Id(imp): 156A. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 75W. Technologie: Field Effect Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Originalprodukt vom Hersteller: National Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:01