Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 52A, 52A, 0.011 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v - NDB6030L

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N-Kanal-Transistor, 52A, 52A, 0.011 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v - NDB6030L. N-Kanal-Transistor, 52A, 52A, 0.011 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. ID (T=25°C): 52A. IDSS (max): 52A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.011 Ohms. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Spannung Vds(max): 30 v. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Logikpegel-Verbesserungsmodus. Id(imp): 156A. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: Field Effect Power MOSFET. Menge pro Karton: 1. Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 00:25.

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SPB56N03L

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N-Kanal-Transistor, 56A, 56A, D2PAK ( TO-263 ), TO-263 ( D2PAK ), 30 v. ID (T=25°C): 56A. IDSS (max...
SPB56N03L
N-Kanal-Transistor, 56A, 56A, D2PAK ( TO-263 ), TO-263 ( D2PAK ), 30 v. ID (T=25°C): 56A. IDSS (max): 56A. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-263 ( D2PAK ). Spannung Vds(max): 30 v. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Logikpegelgesteuerter MOSFET-Transistor. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 56N03L. Pd (Verlustleistung, max): 120W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: SIPMOS Power Transistor. Menge pro Karton: 1
SPB56N03L
N-Kanal-Transistor, 56A, 56A, D2PAK ( TO-263 ), TO-263 ( D2PAK ), 30 v. ID (T=25°C): 56A. IDSS (max): 56A. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-263 ( D2PAK ). Spannung Vds(max): 30 v. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Logikpegelgesteuerter MOSFET-Transistor. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 56N03L. Pd (Verlustleistung, max): 120W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: SIPMOS Power Transistor. Menge pro Karton: 1
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