N-Kanal-Transistor MMFTN138, SOT-23, 50V, TO-236AB, 50V

N-Kanal-Transistor MMFTN138, SOT-23, 50V, TO-236AB, 50V

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N-Kanal-Transistor MMFTN138, SOT-23, 50V, TO-236AB, 50V. Gehäuse: SOT-23. Vdss (Drain-Source-Spannung): 50V. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 50V. Antriebsspannung: -. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 16 ns. Betriebstemperatur: 150°C. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 60pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 0.22A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 0.22A. Eigenschaften: -. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 1.6V. Gate/Source-Spannung Vgs max: ±20V. Herstellerkennzeichnung: JD. Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom): 0.22A. Information: -. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). MSL: -. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.36W. Montageart: SMD. Polarität: MOSFET N. QG (Total Gate Ladung, max @ vgs): -. RoHS: ja. Serie: -. Vgs (th) (max) @ id: -. Originalprodukt vom Hersteller: Diotec. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 20:56

Technische Dokumentation (PDF)
MMFTN138
23 Parameter
Gehäuse
SOT-23
Vdss (Drain-Source-Spannung)
50V
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-236AB
Drain-Source-Spannung Uds [V]
50V
Anzahl der Terminals
3
Ausschaltverzögerung tf[nsec.]
16 ns
Betriebstemperatur
150°C
Ciss-Gate-Kapazität [pF]
60pF
Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen
0.22A
Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]
6 Ohms @ 0.22A
Einschaltzeit ton [nsec.]
8 ns
Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]
1.6V
Gate/Source-Spannung Vgs max
±20V
Herstellerkennzeichnung
JD
Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom)
0.22A
Komponentenfamilie
MOSFET, N-MOS
Konfiguration
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
0.36W
Montageart
SMD
Polarität
MOSFET N
RoHS
ja
Originalprodukt vom Hersteller
Diotec