N-Kanal-Transistor, 60A, TO-247, TO-247, 650V - MBQ60T65PES

N-Kanal-Transistor, 60A, TO-247, TO-247, 650V - MBQ60T65PES. N-Kanal-Transistor, 60A, TO-247, TO-247, 650V. Ic(T=100°C): 60A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 650V. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Kollektorstrom: 100A. Ic(Impuls): 180A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 60T65PES. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 535W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 142ns. Td(on): 45 ns. Technologie: High Speed Fieldstop Trench IGBT, Second Generation. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.85V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.4V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4 v. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6V. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 04:25.