N-Kanal-Transistor J107, TO-92, 8 Ohms, TO-92, 25V
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Stückpreis
1-4
0.31€
5-49
0.26€
50-99
0.22€
100-199
0.20€
200+
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N-Kanal-Transistor J107, TO-92, 8 Ohms, TO-92, 25V. Gehäuse: TO-92. Einschaltwiderstand Rds On: 8 Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Spannung Vds(max): 25V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 160pF. Drain-Source-Schutz: nein. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 4.5V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 0.5V. Gate/Source-Spannung Vgs: 0.7V. IDss (min): 100mA. IGF: 50mA. Kanaltyp: N. Kosten): 35pF. Maximaler Drainstrom: 0.1A. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 350mW. RoHS: ja. Td(off): 5 ns. Td(on): 6 ns. Transistortyp: JFET. Originalprodukt vom Hersteller: Siliconix. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 21:11
J107
25 Parameter
Gehäuse
TO-92
Einschaltwiderstand Rds On
8 Ohms
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-92
Spannung Vds(max)
25V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
160pF
Drain-Source-Schutz
nein
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung (aus) max.
4.5V
Gate/Source-Spannung (aus) min.
0.5V
Gate/Source-Spannung Vgs
0.7V
IDss (min)
100mA
IGF
50mA
Kanaltyp
N
Kosten)
35pF
Maximaler Drainstrom
0.1A
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
350mW
RoHS
ja
Td(off)
5 ns
Td(on)
6 ns
Transistortyp
JFET
Originalprodukt vom Hersteller
Siliconix