N-Kanal-Transistor IXTQ88N30P, 75A, 88A, 1mA, 40m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V

N-Kanal-Transistor IXTQ88N30P, 75A, 88A, 1mA, 40m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V

Menge
Stückpreis
1-4
13.94€
5-14
12.90€
15-29
12.14€
30+
11.38€
Menge auf Lager: 36

N-Kanal-Transistor IXTQ88N30P, 75A, 88A, 1mA, 40m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V. ID (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 88A. IDSS (max): 1mA. Einschaltwiderstand Rds On: 40m Ohms. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Spannung Vds(max): 300V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 6300pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 100uA. Id(imp): 220A. Kanaltyp: N. Kosten): 950pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 600W. RoHS: ja. Td(off): 96 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: PolarHT Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Originalprodukt vom Hersteller: IXYS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 21:11

Technische Dokumentation (PDF)
IXTQ88N30P
30 Parameter
ID (T=100°C)
75A
ID (T=25°C)
88A
IDSS (max)
1mA
Einschaltwiderstand Rds On
40m Ohms
Gehäuse
TO-3P ( TO-218 SOT-93 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-3P
Spannung Vds(max)
300V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
6300pF
Drain-Source-Schutz
Diode
Funktion
N-Channel Enhancement Mode
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
IDss (min)
100uA
Id(imp)
220A
Kanaltyp
N
Kosten)
950pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
600W
RoHS
ja
Td(off)
96 ns
Td(on)
25 ns
Technologie
PolarHT Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
250 ns
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
2.5V
Originalprodukt vom Hersteller
IXYS