N-Kanal-Transistor IXTH24N50, TO-247AD, 500V

N-Kanal-Transistor IXTH24N50, TO-247AD, 500V

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N-Kanal-Transistor IXTH24N50, TO-247AD, 500V. Gehäuse: TO-247AD. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 500V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 80 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 4200pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 24A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.23 Ohms @ 12A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 30 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Herstellerkennzeichnung: IXTH24N50. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 300W. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: IXYS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:38

Technische Dokumentation (PDF)
IXTH24N50
16 Parameter
Gehäuse
TO-247AD
Drain-Source-Spannung Uds [V]
500V
Anzahl der Terminals
3
Ausschaltverzögerung tf[nsec.]
80 ns
Ciss-Gate-Kapazität [pF]
4200pF
Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen
24A
Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.23 Ohms @ 12A
Einschaltzeit ton [nsec.]
30 ns
Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]
4 v
Herstellerkennzeichnung
IXTH24N50
Komponentenfamilie
MOSFET, N-MOS
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
300W
RoHS
ja
Originalprodukt vom Hersteller
IXYS