N-Kanal-Transistor IXGR60N60C2, 48A, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247, 600V

N-Kanal-Transistor IXGR60N60C2, 48A, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247, 600V

Menge
Stückpreis
1-4
13.97€
5-9
13.18€
10-24
11.48€
25+
10.49€
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N-Kanal-Transistor IXGR60N60C2, 48A, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247, 600V. Ic(T=100°C): 48A. Gehäuse: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Gehäuse (laut Datenblatt): ISOPLUS247. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 3900pF. CE-Diode: nein. Funktion: C2-Class High Speed IGBT. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Germaniumdiode: nein. Hinweis: HiPerFAST IGBT-Transistor. Ic(Impuls): 300A. Kanaltyp: N. Kollektorstrom: 75A. Kosten): 280pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.7V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 250W. RoHS: ja. Spec info: ICM TC=25°C, 1ms 300A. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.3V. Td(off): 95 ns. Td(on): 18 ns. Trr-Diode (Min.): 35ns. Originalprodukt vom Hersteller: IXYS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 19:59

Technische Dokumentation (PDF)
IXGR60N60C2
28 Parameter
Ic(T=100°C)
48A
Gehäuse
ISOPLUS247 ( TO-247 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
ISOPLUS247
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
600V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
3900pF
CE-Diode
nein
Funktion
C2-Class High Speed IGBT
Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.
3V
Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.
5V
Gate/Emitter-Spannung VGE
20V
Germaniumdiode
nein
Hinweis
HiPerFAST IGBT-Transistor
Ic(Impuls)
300A
Kanaltyp
N
Kollektorstrom
75A
Kosten)
280pF
Maximale Sättigungsspannung VCE(sat)
2.7V
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
250W
RoHS
ja
Spec info
ICM TC=25°C, 1ms 300A
Sättigungsspannung VCE(sat)
2.3V
Td(off)
95 ns
Td(on)
18 ns
Trr-Diode (Min.)
35ns
Originalprodukt vom Hersteller
IXYS