N-Kanal-Transistor IXFR200N10P, 75A, 133A, 1mA, 0.009 Ohms, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247 ( TO-247 ), 100V

N-Kanal-Transistor IXFR200N10P, 75A, 133A, 1mA, 0.009 Ohms, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247 ( TO-247 ), 100V

Menge
Stückpreis
1-4
23.44€
5-9
22.33€
10-24
20.41€
25+
18.97€
Menge auf Lager: 10

N-Kanal-Transistor IXFR200N10P, 75A, 133A, 1mA, 0.009 Ohms, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247 ( TO-247 ), 100V. ID (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 133A. IDSS (max): 1mA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.009 Ohms. Gehäuse: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Gehäuse (laut Datenblatt): ISOPLUS247 ( TO-247 ). Spannung Vds(max): 100V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 7600pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: Elektrisch isolierte Rückseite. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Hinweis: Isolationsspannung 2500 V 50/60 Hz, RMS, 1 Minute. IDss (min): 25uA. Id(imp): 400A. Kanaltyp: N. Kosten): 2900pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 300W. RoHS: ja. Spec info: dv/dt 10V/ns. Td(off): 150 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: Polar HiPerFet Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: IXYS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 21:11

Technische Dokumentation (PDF)
IXFR200N10P
32 Parameter
ID (T=100°C)
75A
ID (T=25°C)
133A
IDSS (max)
1mA
Einschaltwiderstand Rds On
0.009 Ohms
Gehäuse
ISOPLUS247 ( TO-247 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
ISOPLUS247 ( TO-247 )
Spannung Vds(max)
100V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+175°C
C(in)
7600pF
Drain-Source-Schutz
Diode
Funktion
Elektrisch isolierte Rückseite
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
Hinweis
Isolationsspannung 2500 V 50/60 Hz, RMS, 1 Minute
IDss (min)
25uA
Id(imp)
400A
Kanaltyp
N
Kosten)
2900pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
300W
RoHS
ja
Spec info
dv/dt 10V/ns
Td(off)
150 ns
Td(on)
30 ns
Technologie
Polar HiPerFet Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
150 ns
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt vom Hersteller
IXYS