N-Kanal-Transistor IXFR120N20P, 105A, 2uA, 17m Ohms, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247 ( TO-247 ), 200V

N-Kanal-Transistor IXFR120N20P, 105A, 2uA, 17m Ohms, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247 ( TO-247 ), 200V

Menge
Stückpreis
1-4
15.89€
5-9
14.15€
10-14
13.08€
15-29
12.40€
30+
11.44€
Menge auf Lager: 9

N-Kanal-Transistor IXFR120N20P, 105A, 2uA, 17m Ohms, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247 ( TO-247 ), 200V. ID (T=25°C): 105A. IDSS (max): 2uA. Einschaltwiderstand Rds On: 17m Ohms. Gehäuse: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Gehäuse (laut Datenblatt): ISOPLUS247 ( TO-247 ). Spannung Vds(max): 200V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 9100pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: Elektrisch isolierte Rückseite. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Hinweis: Isolationsspannung 2500 V 50/60 Hz, RMS, 1 Minute. IDss (min): 100uA. Id(imp): 480A. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Kosten): 2200pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 400W. RoHS: ja. Spec info: dv/dt 5V/ns. Td(off): 110 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: Polar HiPerFet Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: IXYS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 21:11

Technische Dokumentation (PDF)
IXFR120N20P
33 Parameter
ID (T=25°C)
105A
IDSS (max)
2uA
Einschaltwiderstand Rds On
17m Ohms
Gehäuse
ISOPLUS247 ( TO-247 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
ISOPLUS247 ( TO-247 )
Spannung Vds(max)
200V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
9100pF
Drain-Source-Schutz
Diode
Funktion
Elektrisch isolierte Rückseite
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
Hinweis
Isolationsspannung 2500 V 50/60 Hz, RMS, 1 Minute
IDss (min)
100uA
Id(imp)
480A
Kanaltyp
N
Konditionierung
Kunststoffrohr
Konditionierungseinheit
30
Kosten)
2200pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
400W
RoHS
ja
Spec info
dv/dt 5V/ns
Td(off)
110 ns
Td(on)
40 ns
Technologie
Polar HiPerFet Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
250 ns
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
IXYS