N-Kanal-Transistor IXFK64N50P, TO-264 ( TOP-3L ), 500V, 64A, 1mA, 85m Ohms, TO-264AA, 500V. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 500V. ID (T=25°C): 64A. IDSS (max): 1mA. Einschaltwiderstand Rds On: 85m Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264AA. Spannung Vds(max): 500V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 85 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 7900pF. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 9700pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 64A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.085 Ohms @ 32A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 30 ns. G-S-Schutz: nein. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5.5V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Herstellerkennzeichnung: IXFK64N50P. IDss (min): 25uA. Id(imp): 150A. Kanaltyp: N. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Kosten): 790pF. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 830W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 830W. RoHS: ja. Spec info: dv/dt 20V/ns. Td(off): 85 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 200 ns. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: IXYS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 21:11