N-Kanal-Transistor IXFH26N50Q, TO-247AD, 500V

N-Kanal-Transistor IXFH26N50Q, TO-247AD, 500V

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N-Kanal-Transistor IXFH26N50Q, TO-247AD, 500V. Gehäuse: TO-247AD. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 500V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 65 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 4200pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 26A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 13A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 16 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4.5V. Herstellerkennzeichnung: IXFH26N50. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 300W. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: IXYS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:37

Technische Dokumentation (PDF)
IXFH26N50Q
16 Parameter
Gehäuse
TO-247AD
Drain-Source-Spannung Uds [V]
500V
Anzahl der Terminals
3
Ausschaltverzögerung tf[nsec.]
65 ns
Ciss-Gate-Kapazität [pF]
4200pF
Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen
26A
Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.2 Ohms @ 13A
Einschaltzeit ton [nsec.]
16 ns
Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]
4.5V
Herstellerkennzeichnung
IXFH26N50
Komponentenfamilie
MOSFET, N-MOS
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
300W
RoHS
ja
Originalprodukt vom Hersteller
IXYS