N-Kanal-Transistor IRLZ44N, 33A, 47A, 250uA, 0.022 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V

N-Kanal-Transistor IRLZ44N, 33A, 47A, 250uA, 0.022 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V

Menge
Stückpreis
1-4
1.31€
5-24
1.13€
25-49
0.99€
50-99
0.87€
100+
0.71€
Menge auf Lager: 238

N-Kanal-Transistor IRLZ44N, 33A, 47A, 250uA, 0.022 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 33A. ID (T=25°C): 47A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.022 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 55V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 1700pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Gate-Steuerung durch Logikpegel. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 160A. Kanaltyp: N. Kosten): 400pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 110W. RoHS: ja. Td(off): 26 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 80 ns. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 19:38

Technische Dokumentation (PDF)
IRLZ44N
30 Parameter
ID (T=100°C)
33A
ID (T=25°C)
47A
IDSS (max)
250uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.022 Ohms
Gehäuse
TO-220
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220AB
Spannung Vds(max)
55V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+175°C
C(in)
1700pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
Gate-Steuerung durch Logikpegel
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
16V
IDss (min)
25uA
Id(imp)
160A
Kanaltyp
N
Kosten)
400pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
110W
RoHS
ja
Td(off)
26 ns
Td(on)
11 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
80 ns
Vgs(th) max.
2V
Vgs(th) min.
1V
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier