N-Kanal-Transistor IRLZ24N, 8.5A, 17A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 8.5A. ID (T=25°C): 17A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.075 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 55V. C(in): 480pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Gate-Steuerung durch Logikpegel. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. IDss (min): 25uA. Kanaltyp: N. Kosten): 130pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 47W. Td(off): 20 ns. Td(on): 7.1 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 60 ns. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 19:38