Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

N-Kanal-Transistor, 61A, 86A, 150uA, 4m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v - IRLR8726TRPBF

N-Kanal-Transistor, 61A, 86A, 150uA, 4m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v - IRLR8726TRPBF
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10 - 24 0.59€ 0.70€
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N-Kanal-Transistor, 61A, 86A, 150uA, 4m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v - IRLR8726TRPBF. N-Kanal-Transistor, 61A, 86A, 150uA, 4m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. ID (T=100°C): 61A. ID (T=25°C): 86A. IDSS (max): 150uA. Einschaltwiderstand Rds On: 4m Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 2150pF. Kosten): 480pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 24 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 340A. IDss (min): 1uA. Äquivalente: IRLR8726PBF, IRLR8726TRLPBF. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 75W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 15 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V. Spec info: Extrem niedrige Gate-Impedanz. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 04:25.

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