N-Kanal-Transistor IRLR3410, 12A, 17A, 250uA, 0.105 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V

N-Kanal-Transistor IRLR3410, 12A, 17A, 250uA, 0.105 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V

Menge
Stückpreis
1-4
1.02€
5-49
0.81€
50-99
0.68€
100+
0.61€
Menge auf Lager: 28

N-Kanal-Transistor IRLR3410, 12A, 17A, 250uA, 0.105 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.105 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spannung Vds(max): 100V. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 800pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Extrem niedriger Einschaltwiderstand, schnelles Schalten. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 60A. Kanaltyp: N. Kosten): 160pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 79W. RoHS: ja. Spec info: Gate-Steuerung durch Logikpegel. Td(off): 30 ns. Td(on): 7.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 140 ns. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 19:38

Technische Dokumentation (PDF)
IRLR3410
31 Parameter
ID (T=100°C)
12A
ID (T=25°C)
17A
IDSS (max)
250uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.105 Ohms
Gehäuse
D-PAK ( TO-252 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 )
Spannung Vds(max)
100V
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-55...+175°C
C(in)
800pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
Extrem niedriger Einschaltwiderstand, schnelles Schalten
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
16V
IDss (min)
25uA
Id(imp)
60A
Kanaltyp
N
Kosten)
160pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
79W
RoHS
ja
Spec info
Gate-Steuerung durch Logikpegel
Td(off)
30 ns
Td(on)
7.2 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
140 ns
Vgs(th) max.
2V
Vgs(th) min.
1V
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier