Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

N-Kanal-Transistor, 20A, 28A, 250uA, 0.04 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V - IRLR2705

N-Kanal-Transistor, 20A, 28A, 250uA, 0.04 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V - IRLR2705
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Menge exkl. MwSt inkl. MwSt
1 - 4 1.01€ 1.20€
5 - 9 0.96€ 1.14€
10 - 16 0.91€ 1.08€
Menge U.P
1 - 4 1.01€ 1.20€
5 - 9 0.96€ 1.14€
10 - 16 0.91€ 1.08€
Lieferung in 2-3 Tagen, mit Postverfolgung!
Menge auf Lager : 16
Set mit 1

N-Kanal-Transistor, 20A, 28A, 250uA, 0.04 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V - IRLR2705. N-Kanal-Transistor, 20A, 28A, 250uA, 0.04 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. ID (T=100°C): 20A. ID (T=25°C): 28A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.04 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spannung Vds(max): 55V. C(in): 880pF. Kosten): 220pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 75. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 76 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 110A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 68W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 21 ns. Td(on): 8.9 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Funktion: Gate-Antrieb auf Logikebene, schnelles Schalten. Spec info: niedriger Widerstand R-on 0,040 Ohm. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 08:25.

Informationen und technische Hilfe

Telefonisch :

Zahlungs-und Lieferbedingungen

Lieferung in 2-3 Tagen, mit Postverfolgung!

Abonnieren Sie den Newsletter

Ich stimme dem Empfang von E-Mails zu und verstehe, dass ich mich nach der Registrierung jederzeit abmelden kann.

Alle Rechte vorbehalten, RPtronics, 2024.