N-Kanal-Transistor IRLR024NTRPBF, TO252AA, DPAK. Gehäuse: TO252AA, DPAK. Aufladung: 10nC. Drain-Source-Spannung: 55V. Eigenschaften des Halbleiters: Logikebene. Gate-Source-Spannung: 16V, ±16V. Gehäuse thermischer Widerstand: 3.3K/W. Leistung: 38W. Montage/Installation: SMD. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: 17A. Technologie: HEXFET®. Transistortyp: N-MOSFET, HEXFET, logic level. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon (irf). Bestandsmenge aktualisiert am 01/01/2026, 21:08