N-Kanal-Transistor IRLR024NTRPBF, TO252AA, DPAK
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1-4
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N-Kanal-Transistor IRLR024NTRPBF, TO252AA, DPAK. Gehäuse: TO252AA, DPAK. Aufladung: 10nC. Drain-Source-Spannung: 55V. Eigenschaften des Halbleiters: Logikebene. Gate-Source-Spannung: 16V, ±16V. Gehäuse thermischer Widerstand: 3.3K/W. Leistung: 38W. Montage/Installation: SMD. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: 17A. Technologie: HEXFET®. Transistortyp: N-MOSFET, HEXFET, logic level. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon (irf). Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 22:18
IRLR024NTRPBF
14 Parameter
Gehäuse
TO252AA, DPAK
Aufladung
10nC
Drain-Source-Spannung
55V
Eigenschaften des Halbleiters
Logikebene
Gate-Source-Spannung
16V, ±16V
Gehäuse thermischer Widerstand
3.3K/W
Leistung
38W
Montage/Installation
SMD
Polarität
unipolar
RoHS
ja
Strömung abfließen
17A
Technologie
HEXFET®
Transistortyp
N-MOSFET, HEXFET, logic level
Originalprodukt vom Hersteller
Infineon (irf)