N-Kanal-Transistor, 0.93A, 1.2A, 25uA, 0.025 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 30 v - IRLML2803

N-Kanal-Transistor, 0.93A, 1.2A, 25uA, 0.025 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 30 v - IRLML2803. N-Kanal-Transistor, 0.93A, 1.2A, 25uA, 0.025 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 30 v. ID (T=100°C): 0.93A. ID (T=25°C): 1.2A. IDSS (max): 25uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.025 Ohms. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 85pF. Kosten): 34pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 26 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 7.3A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 540mW. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 9 ns. Td(on): 3.9 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 08:25.