N-Kanal-Transistor IRLML2502, SOT-23 ( TO-236 ), 3.4A, 4.2A, 25uA, 0.035 Ohms, SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 20V. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). ID (T=100°C): 3.4A. ID (T=25°C): 4.2A. IDSS (max): 25uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.035 Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Spannung Vds(max): 20V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 740pF. Drain-Source-Schutz: ja. Drain-Source-Spannung: 20V. Eigenschaften des Halbleiters: Logikebene. Funktion: Ultra Low On-Resistance. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 12V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 33A. Kanaltyp: N. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 3000. Kosten): 90pF. Leistung: 1.25W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 1uA. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: 4.2A. Td(off): 54 ns. Td(on): 7.5 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 16 ns. Vgs(th) min.: 0.6V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 19:38