N-Kanal-Transistor IRLL014NTRPBF, SOT-223, 55V
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N-Kanal-Transistor IRLL014NTRPBF, SOT-223, 55V. Gehäuse: SOT-223. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 55V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 14 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 230pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 2A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 1.2A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 5.1 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Herstellerkennzeichnung: LL014N. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2.1W. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 21:24
IRLL014NTRPBF
16 Parameter
Gehäuse
SOT-223
Drain-Source-Spannung Uds [V]
55V
Anzahl der Terminals
3
Ausschaltverzögerung tf[nsec.]
14 ns
Ciss-Gate-Kapazität [pF]
230pF
Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen
2A
Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.2 Ohms @ 1.2A
Einschaltzeit ton [nsec.]
5.1 ns
Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]
2V
Herstellerkennzeichnung
LL014N
Komponentenfamilie
MOSFET, N-MOS
Konfiguration
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
2.1W
RoHS
ja
Originalprodukt vom Hersteller
Infineon