N-Kanal-Transistor IRLIB4343, 13A, 19A, 25uA, 0.042 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 55V

N-Kanal-Transistor IRLIB4343, 13A, 19A, 25uA, 0.042 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 55V

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N-Kanal-Transistor IRLIB4343, 13A, 19A, 25uA, 0.042 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 55V. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 19A. IDSS (max): 25uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.042 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 55V. Betriebstemperatur: -40...+175°C. C(in): 740pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Funktion: Für Class-D-Audio optimierte Verstärkeranwendungen. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 2uA. Id(imp): 80A. Kanaltyp: N. Kosten): 150pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 39W. Td(off): 23 ns. Td(on): 5.7 ns. Technologie: Digitaler Audio-HEXSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 52 ns. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 22/07/2025, 17:05

Technische Dokumentation (PDF)
IRLIB4343
27 Parameter
ID (T=100°C)
13A
ID (T=25°C)
19A
IDSS (max)
25uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.042 Ohms
Gehäuse
TO-220FP
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220FP
Spannung Vds(max)
55V
Betriebstemperatur
-40...+175°C
C(in)
740pF
Drain-Source-Schutz
Zenerdiode
Funktion
Für Class-D-Audio optimierte Verstärkeranwendungen
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
IDss (min)
2uA
Id(imp)
80A
Kanaltyp
N
Kosten)
150pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
39W
Td(off)
23 ns
Td(on)
5.7 ns
Technologie
Digitaler Audio-HEXSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
52 ns
Vgs(th) min.
1V
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier