N-Kanal-Transistor IRLD014, 1.2A, 1.7A, 0.025mA, 1.7A, 0.20 Ohms, DIP, HVMDIP ( DIP-4 ), 60V
Menge
Stückpreis
1-1
1.18€
2-4
1.18€
5-24
0.97€
25-49
0.83€
50+
0.67€
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N-Kanal-Transistor IRLD014, 1.2A, 1.7A, 0.025mA, 1.7A, 0.20 Ohms, DIP, HVMDIP ( DIP-4 ), 60V. ID (T=100°C): 1.2A. ID (T=25°C): 1.7A. IDSS: 0.025mA. IDSS (max): 1.7A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.20 Ohms. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): HVMDIP ( DIP-4 ). Spannung Vds(max): 60V. Anzahl der Terminals: 4. Funktion: td(on) 9.3ns, td(off) 17ns, Logic-Level Gate. Id(imp): 14A. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. RoHS: ja. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: FET. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 19:38
IRLD014
19 Parameter
ID (T=100°C)
1.2A
ID (T=25°C)
1.7A
IDSS
0.025mA
IDSS (max)
1.7A
Einschaltwiderstand Rds On
0.20 Ohms
Gehäuse
DIP
Gehäuse (laut Datenblatt)
HVMDIP ( DIP-4 )
Spannung Vds(max)
60V
Anzahl der Terminals
4
Funktion
td(on) 9.3ns, td(off) 17ns, Logic-Level Gate
Id(imp)
14A
Kanaltyp
N
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
1.3W
RoHS
ja
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Transistortyp
FET
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier