N-Kanal-Transistor, 1.2A, 1.7A, 0.025mA, 1.7A, 0.20 Ohms, DIP, HVMDIP ( DIP-4 ), 60V - IRLD014

N-Kanal-Transistor, 1.2A, 1.7A, 0.025mA, 1.7A, 0.20 Ohms, DIP, HVMDIP ( DIP-4 ), 60V - IRLD014. N-Kanal-Transistor, 1.2A, 1.7A, 0.025mA, 1.7A, 0.20 Ohms, DIP, HVMDIP ( DIP-4 ), 60V. ID (T=100°C): 1.2A. ID (T=25°C): 1.7A. IDSS: 0.025mA. IDSS (max): 1.7A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.20 Ohms. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): HVMDIP ( DIP-4 ). Spannung Vds(max): 60V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: FET. Funktion: td(on) 9.3ns, td(off) 17ns, Logic-Level Gate. Id(imp): 14A. Anzahl der Terminals: 4. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 08:25.