N-Kanal-Transistor IRLB8743PBF, TO-220, 100A, 150A, 100uA, 2.5m Ohms, TO-220AB, 30 v

N-Kanal-Transistor IRLB8743PBF, TO-220, 100A, 150A, 100uA, 2.5m Ohms, TO-220AB, 30 v

Menge
Stückpreis
1-4
1.50€
5-24
1.28€
25-49
1.14€
50-99
1.04€
100+
0.90€
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N-Kanal-Transistor IRLB8743PBF, TO-220, 100A, 150A, 100uA, 2.5m Ohms, TO-220AB, 30 v. Gehäuse: TO-220. ID (T=100°C): 100A. ID (T=25°C): 150A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 2.5m Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 30 v. Anzahl der Terminals: 3. Aufladung: 36nC. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 5110pF. Drain-Source-Schutz: ja. Drain-Source-Spannung: 30V. Eigenschaften des Halbleiters: Logikebene. Funktion: UPS, DC/DC-Wandler. G-S-Schutz: nein. Gate-Source-Spannung: ±20V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 620A. Kanaltyp: N. Konditionierung: tubus. Kosten): 960pF. Leistung: 140W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 140W. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Spec info: High Frequency Synchronous. Strömung abfließen: 150A. Td(off): 25 ns. Td(on): 23 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 29 ns. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 19:38

Technische Dokumentation (PDF)
IRLB8743PBF
39 Parameter
Gehäuse
TO-220
ID (T=100°C)
100A
ID (T=25°C)
150A
IDSS (max)
100uA
Einschaltwiderstand Rds On
2.5m Ohms
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220AB
Spannung Vds(max)
30 v
Anzahl der Terminals
3
Aufladung
36nC
Betriebstemperatur
-55...+175°C
C(in)
5110pF
Drain-Source-Schutz
ja
Drain-Source-Spannung
30V
Eigenschaften des Halbleiters
Logikebene
Funktion
UPS, DC/DC-Wandler
G-S-Schutz
nein
Gate-Source-Spannung
±20V
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
IDss (min)
1uA
Id(imp)
620A
Kanaltyp
N
Konditionierung
tubus
Kosten)
960pF
Leistung
140W
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
140W
Polarität
unipolar
RoHS
ja
Spec info
High Frequency Synchronous
Strömung abfließen
150A
Td(off)
25 ns
Td(on)
23 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
29 ns
Vgs(th) max.
2.35V
Vgs(th) min.
1.35V
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier