N-Kanal-Transistor IRLB8721, 45A, 64A, 150uA, 0.0065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v

N-Kanal-Transistor IRLB8721, 45A, 64A, 150uA, 0.0065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v

Menge
Stückpreis
1-4
1.12€
5-24
0.94€
25-49
0.82€
50-99
0.74€
100+
0.63€
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N-Kanal-Transistor IRLB8721, 45A, 64A, 150uA, 0.0065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. ID (T=100°C): 45A. ID (T=25°C): 64A. IDSS (max): 150uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0065 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 30 v. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 1077pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Extrem niedriger Einschaltwiderstand, schnelles Schalten. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 250A. Kanaltyp: N. Kosten): 360pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 65W. RoHS: ja. Td(off): 9 ns. Td(on): 9.1ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 16 ns. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 19:38

IRLB8721
30 Parameter
ID (T=100°C)
45A
ID (T=25°C)
64A
IDSS (max)
150uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.0065 Ohms
Gehäuse
TO-220
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220AB
Spannung Vds(max)
30 v
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+175°C
C(in)
1077pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
Extrem niedriger Einschaltwiderstand, schnelles Schalten
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
IDss (min)
1uA
Id(imp)
250A
Kanaltyp
N
Kosten)
360pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
65W
RoHS
ja
Td(off)
9 ns
Td(on)
9.1ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
16 ns
Vgs(th) max.
2.35V
Vgs(th) min.
1.35V
Originalprodukt vom Hersteller
Infineon Technologies