N-Kanal-Transistor IRLB1304PTPBF, 130A, 185A, 250uA, 0.004 Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. ID (T=100°C): 130A. ID (T=25°C): 185A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.004 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 40V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 7660pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Funktion: Gate-Steuerung durch Logikpegel. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 740A. Kanaltyp: N. Kosten): 2150pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 300W. RoHS: ja. Td(off): 45 ns. Td(on): 21 ns. Technologie: HEXFET Leistungs-MOSFET-Transistor, logisch pegelgesteuert. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 19:38