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N-Kanal-Transistor IRL640A, 200V, 18A, 0.18 Ohms, 18A, TO-220, TO-220AB, 200V
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1-4
1.68€
5-49
1.39€
50-99
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100+
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N-Kanal-Transistor IRL640A, 200V, 18A, 0.18 Ohms, 18A, TO-220, TO-220AB, 200V. Drain-Source-Spannung (Vds): 200V. ID (T=25°C): 18A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.18 Ohms. IDSS (max): 18A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 200V. Funktion: Logikebene. Kanaltyp: N. Kontrolle: Logikebene. Leistung: 110W. Maximaler Drainstrom: 18A. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 110W. Technologie: V-MOS. Transistortyp: MOSFET. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 19:38
IRL640A
18 Parameter
Drain-Source-Spannung (Vds)
200V
ID (T=25°C)
18A
Einschaltwiderstand Rds On
0.18 Ohms
IDSS (max)
18A
Gehäuse
TO-220
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220AB
Spannung Vds(max)
200V
Funktion
Logikebene
Kanaltyp
N
Kontrolle
Logikebene
Leistung
110W
Maximaler Drainstrom
18A
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
110W
Technologie
V-MOS
Transistortyp
MOSFET
Originalprodukt vom Hersteller
Fairchild