N-Kanal-Transistor IRL540N, 21A, 30A, 250uA, 0.044 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V

N-Kanal-Transistor IRL540N, 21A, 30A, 250uA, 0.044 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V

Menge
Stückpreis
1-4
1.57€
5-24
1.38€
25-49
1.25€
50-99
1.15€
100+
1.02€
Menge auf Lager: 170

N-Kanal-Transistor IRL540N, 21A, 30A, 250uA, 0.044 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 21A. ID (T=25°C): 30A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.044 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 100V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 1800pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Gate-Steuerung durch Logikpegel. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 60.4k Ohms. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Kosten): 350pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 94W. RoHS: ja. Td(off): 39 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 190 ns. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 19:38

Technische Dokumentation (PDF)
IRL540N
32 Parameter
ID (T=100°C)
21A
ID (T=25°C)
30A
IDSS (max)
250uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.044 Ohms
Gehäuse
TO-220
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220AB
Spannung Vds(max)
100V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+175°C
C(in)
1800pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
Gate-Steuerung durch Logikpegel
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
16V
IDss (min)
25uA
Id(imp)
60.4k Ohms
Kanaltyp
N
Konditionierung
Kunststoffrohr
Konditionierungseinheit
50
Kosten)
350pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
94W
RoHS
ja
Td(off)
39 ns
Td(on)
11 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
190 ns
Vgs(th) max.
2V
Vgs(th) min.
1V
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier