N-Kanal-Transistor IRL3705N, TO-220, 63A, 89A, 250uA, 0.01 Ohms, TO-220AB, 55V
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N-Kanal-Transistor IRL3705N, TO-220, 63A, 89A, 250uA, 0.01 Ohms, TO-220AB, 55V. Gehäuse: TO-220. ID (T=100°C): 63A. ID (T=25°C): 89A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.01 Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 55V. Anzahl der Terminals: 3. Aufladung: 65.3nC. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 3600pF. Drain-Source-Schutz: ja. Drain-Source-Spannung: 55V. Eigenschaften des Halbleiters: Logikebene. Funktion: Gate-Antrieb auf Logikebene, schnelles Schalten. G-S-Schutz: nein. Gate-Source-Spannung: 16V, ±16V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 2V. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Gehäuse thermischer Widerstand: 1.2K/W. IDss (min): 25uA. Id(imp): 310A. Kanaltyp: N. Konditionierung: tubus. Konditionierungseinheit: 50. Kosten): 870pF. Leistung: 130W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 170W. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: 89A. Td(off): 37 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 94us. Vgs(th) min.: 1V. Widerstand auf den Staat: 10M Ohms. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 08:13