N-Kanal-Transistor IRL2203NSTRLPBF, D²-PAK, TO-263, 30 v
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N-Kanal-Transistor IRL2203NSTRLPBF, D²-PAK, TO-263, 30 v. Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 23 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 3290pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 75A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 60A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 11 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Herstellerkennzeichnung: L2203NS. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Maximale Temperatur: +175°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 180W. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 21:24
IRL2203NSTRLPBF
17 Parameter
Gehäuse
D²-PAK
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-263
Drain-Source-Spannung Uds [V]
30 v
Anzahl der Terminals
3
Ausschaltverzögerung tf[nsec.]
23 ns
Ciss-Gate-Kapazität [pF]
3290pF
Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen
75A
Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.007 Ohms @ 60A
Einschaltzeit ton [nsec.]
11 ns
Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]
3V
Herstellerkennzeichnung
L2203NS
Komponentenfamilie
MOSFET, N-MOS
Konfiguration
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Maximale Temperatur
+175°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
180W
RoHS
ja
Originalprodukt vom Hersteller
Infineon