N-Kanal-Transistor IRL2203N, 60A, 116A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. ID (T=100°C): 60A. ID (T=25°C): 116A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.07 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 30 v. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 3290pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Funktion: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 400A. Kanaltyp: N. Kosten): 1270pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 180W. RoHS: ja. Td(off): 23 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 56 ns. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 08:13