N-Kanal-Transistor, 60A, 116A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v - IRL2203N

N-Kanal-Transistor, 60A, 116A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v - IRL2203N. N-Kanal-Transistor, 60A, 116A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. ID (T=100°C): 60A. ID (T=25°C): 116A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.07 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 3290pF. Kosten): 1270pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 56 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 400A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 180W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 23 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 1V. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 11:25.