N-Kanal-Transistor, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V - IRG4PH50K

N-Kanal-Transistor, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V - IRG4PH50K. N-Kanal-Transistor, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V. Ic(T=100°C): 24A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. C(in): 2800pF. Kosten): 140pF. CE-Diode: NINCS. Kanaltyp: N. Funktion: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 45A. Ic(Impuls): 90A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Spec info: td (on) 36ns, td(off) 200ns, TJ=25°C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 200 ns. Td(on): 36ns. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.77V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6V. Originalprodukt vom Hersteller International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 09/06/2025, 23:25.