N-Kanal-Transistor IRFZ34N, TO-220, 20A, 29A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-220AB, 55V. Gehäuse: TO-220. ID (T=100°C): 20A. ID (T=25°C): 29A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.04 Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 55V. Anzahl der Terminals: 3. Aufladung: 22.7nC. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 700pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Drain-Source-Spannung: 55V. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate-Source-Spannung: 20V, ±20V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Gehäuse thermischer Widerstand: 2.7K/W. IDss (min): 25uA. Id(imp): 100A. Kanaltyp: N. Konditionierung: tubus. Kosten): 240pF. Leistung: 56W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 68W. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: 26A. Td(off): 31 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 57 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 21:11