N-Kanal-Transistor IRFU420, 1.4A, 2.4A, 250uA, 3 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 500V

N-Kanal-Transistor IRFU420, 1.4A, 2.4A, 250uA, 3 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 500V

Menge
Stückpreis
1-4
0.88€
5-24
0.76€
25-49
0.68€
50-99
0.63€
100+
0.56€
Gleichwertigkeit vorhanden
Menge auf Lager: 39

N-Kanal-Transistor IRFU420, 1.4A, 2.4A, 250uA, 3 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 500V. ID (T=100°C): 1.4A. ID (T=25°C): 2.4A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 3 Ohms. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251AA ( I-PAK ). Spannung Vds(max): 500V. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 360pF. Funktion: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 8A. Kanaltyp: N. Kosten): 92pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 42W. RoHS: ja. Td(off): 8 ns. Td(on): 33 ns. Technologie: Leistungs-MOSFET-Transistor der dritten Generation. Transistortyp: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 21:11

Technische Dokumentation (PDF)
IRFU420
26 Parameter
ID (T=100°C)
1.4A
ID (T=25°C)
2.4A
IDSS (max)
250uA
Einschaltwiderstand Rds On
3 Ohms
Gehäuse
TO-251 ( I-Pak )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-251AA ( I-PAK )
Spannung Vds(max)
500V
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
360pF
Funktion
Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
IDss (min)
25uA
Id(imp)
8A
Kanaltyp
N
Kosten)
92pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
42W
RoHS
ja
Td(off)
8 ns
Td(on)
33 ns
Technologie
Leistungs-MOSFET-Transistor der dritten Generation
Transistortyp
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
Vishay

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