N-Kanal-Transistor IRFR220, TO252AA, DPAK
Menge
Stückpreis
1-4
2.10€
5-9
1.31€
10-19
1.17€
20-49
1.10€
50+
1.03€
| Menge auf Lager: 2 |
N-Kanal-Transistor IRFR220, TO252AA, DPAK. Gehäuse: TO252AA, DPAK. Aufladung: 15nC. Drain-Source-Spannung: 200V. Gate-Source-Spannung: 20V, ±20V. Gehäuse thermischer Widerstand: 3.5K/W. Leistung: 43W. Montage/Installation: SMD. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: 5A. Technologie: HEXFET®. Transistortyp: N-MOSFET, HEXFET. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon (irf). Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 04:39
IRFR220
13 Parameter
Gehäuse
TO252AA, DPAK
Aufladung
15nC
Drain-Source-Spannung
200V
Gate-Source-Spannung
20V, ±20V
Gehäuse thermischer Widerstand
3.5K/W
Leistung
43W
Montage/Installation
SMD
Polarität
unipolar
RoHS
ja
Strömung abfließen
5A
Technologie
HEXFET®
Transistortyp
N-MOSFET, HEXFET
Originalprodukt vom Hersteller
Infineon (irf)