N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D-PAK, TO-252, 100V, 6.6A - IRFR120NPBF

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D-PAK, TO-252, 100V, 6.6A - IRFR120NPBF. N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D-PAK, TO-252, 100V, 6.6A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-252. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.6A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FR1205N. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.21 Ohms @ 5.6A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 4.5 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 32 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 330pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 48W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 17:25.