Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
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1 - 4 | 1.04€ | 1.24€ |
5 - 9 | 0.99€ | 1.18€ |
10 - 24 | 0.94€ | 1.12€ |
25 - 49 | 0.89€ | 1.06€ |
50 - 99 | 0.87€ | 1.04€ |
100 - 102 | 0.85€ | 1.01€ |
Menge | U.P | |
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1 - 4 | 1.04€ | 1.24€ |
5 - 9 | 0.99€ | 1.18€ |
10 - 24 | 0.94€ | 1.12€ |
25 - 49 | 0.89€ | 1.06€ |
50 - 99 | 0.87€ | 1.04€ |
100 - 102 | 0.85€ | 1.01€ |
N-Kanal-Transistor, 31A, 44A, 250uA, 0.027 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V - IRFR1205. N-Kanal-Transistor, 31A, 44A, 250uA, 0.027 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. ID (T=100°C): 31A. ID (T=25°C): 44A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.027 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spannung Vds(max): 55V. C(in): 1300pF. Kosten): 410pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 65 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 160A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 107W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 47 ns. Td(on): 7.3 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+155°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Funktion: Extrem niedriger Einschaltwiderstand, schnelles Schalten. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 17:25.
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