N-Kanal-Transistor IRFR024N, D-PAK ( TO-252 ), 12A, 17A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.075 Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spannung Vds(max): 55V. Anzahl der Terminals: 2. Aufladung: 13.3nC. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 370pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Drain-Source-Spannung: 55V. G-S-Schutz: nein. Gate-Source-Spannung: 20V, ±20V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Gehäuse thermischer Widerstand: 3.3K/W. IDss (min): 25uA. Id(imp): 68A. Kanaltyp: N. Kosten): 140pF. Leistung: 38W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 45W. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: 16A. Td(off): 19 ns. Td(on): 4.9 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 56 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 02:45