N-Kanal-Transistor IRFPE50PBF, 800V, 1.2 Ohms

Menge

Stückpreis

1-1

6.22€

2-4

5.57€

5-9

5.08€

10-24

4.64€

25+

4.30€

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N-Kanal-Transistor IRFPE50PBF, 800V, 1.2 Ohms. Drain-Source-Spannung (Vds): 800V. Einschaltwiderstand Rds On: 1.2 Ohms. Kanaltyp: N. Leistung: 190W. Maximaler Drainstrom: 7.8A. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 09:00

Technische Dokumentation (PDF)

IRFPE50PBF

7 Parameter

Drain-Source-Spannung (Vds)

800V

Einschaltwiderstand Rds On

1.2 Ohms

Kanaltyp

Leistung

190W

Maximaler Drainstrom

7.8A

Transistortyp

MOSFET-Leistungstransistor

Originalprodukt vom Hersteller

Vishay