N-Kanal-Transistor IRFPC50A, 7A, 11A, 250uA, 0.58 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V

N-Kanal-Transistor IRFPC50A, 7A, 11A, 250uA, 0.58 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V

Menge
Stückpreis
1-4
4.23€
5-9
3.81€
10-24
3.50€
25-49
3.27€
50+
2.91€
Menge auf Lager: 46

N-Kanal-Transistor IRFPC50A, 7A, 11A, 250uA, 0.58 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.58 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 600V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 2100pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 25uA-. Id(imp): 44A. Kanaltyp: N. Kosten): 270pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 180W. RoHS: ja. Td(off): 33 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 550 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 02:45

Technische Dokumentation (PDF)
IRFPC50A
30 Parameter
ID (T=100°C)
7A
ID (T=25°C)
11A
IDSS (max)
250uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.58 Ohms
Gehäuse
TO-247
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-247AC
Spannung Vds(max)
600V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
2100pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
Hochgeschwindigkeitsumschaltung
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
IDss (min)
25uA-
Id(imp)
44A
Kanaltyp
N
Kosten)
270pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
180W
RoHS
ja
Td(off)
33 ns
Td(on)
15 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
550 ns
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
Vishay