N-Kanal-Transistor IRFPC50, 7A, 11A, 500uA, 0.6 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V

N-Kanal-Transistor IRFPC50, 7A, 11A, 500uA, 0.6 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V

Menge
Stückpreis
1-4
4.60€
5-9
4.20€
10-24
3.89€
25-49
3.64€
50+
3.24€
Menge auf Lager: 19

N-Kanal-Transistor IRFPC50, 7A, 11A, 500uA, 0.6 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 500uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.6 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 600V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 2700pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 100uA. Id(imp): 44A. Kanaltyp: N. Kosten): 300pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 180W. RoHS: ja. Td(off): 88 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 550 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 02:45

Technische Dokumentation (PDF)
IRFPC50
30 Parameter
ID (T=100°C)
7A
ID (T=25°C)
11A
IDSS (max)
500uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.6 Ohms
Gehäuse
TO-247
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-247AC
Spannung Vds(max)
600V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
2700pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
Hochgeschwindigkeitsumschaltung
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
IDss (min)
100uA
Id(imp)
44A
Kanaltyp
N
Kosten)
300pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
180W
RoHS
ja
Td(off)
88 ns
Td(on)
18 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
550 ns
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier