N-Kanal-Transistor IRFP90N20DPBF, TO-247AC, 200V, 0.02, 200V. Gehäuse: TO-247AC. Drain-Source-Spannung (Vds): 200V. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Einschaltwiderstand Rds On: 0.02. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Anzahl der Terminals: 3. Aufladung: 180nC. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 43 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 640pF. Drain-Source-Spannung: 200V. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 94A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 56A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 23 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5V. Gate-Source-Spannung: ±30V. Herstellerkennzeichnung: IRFP90N20DPBF. Kanaltyp: N. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konditionierung: tubus. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leistung: 580W. Maximale Temperatur: +175°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 580W. Maximaler Drainstrom: 94A. Montage/Installation: THT. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: 94A. Technologie: HEXFET®. Transistortyp: N-MOSFET. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:38