N-Kanal-Transistor IRFP460APBF, TO-247, 500V, 13A, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-247AC, 500V. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 500V. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.27 Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 500V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 45 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 3100pF. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 3100pF. Drain-Source-Schutz: ja. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 20A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 12A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 18 ns. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). G-S-Schutz: nein. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Herstellerkennzeichnung: IRFP460APBF. IDss (min): 25uA. Id(imp): 80A. Kanaltyp: N. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Kosten): 480pF. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 280W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 280W. RoHS: ja. Td(off): 45 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET, High Efficiency Synchronous R. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 480 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 02:45