N-Kanal-Transistor IRFP460, TO-247, 13A, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-247AC, 500V

N-Kanal-Transistor IRFP460, TO-247, 13A, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-247AC, 500V

Menge
Stückpreis
1-4
6.25€
5-24
5.69€
25-49
5.22€
50-99
4.90€
100+
4.43€
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N-Kanal-Transistor IRFP460, TO-247, 13A, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-247AC, 500V. Gehäuse: TO-247. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.27 Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 500V. Anzahl der Terminals: 3. Aufladung: 210nC. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 4200pF. Drain-Source-Schutz: ja. Drain-Source-Spannung: 500V. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate-Source-Spannung: ±20V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Herstellerkennzeichnung: IRFP460PBF. IDss (min): 25uA. Id(imp): 80A. Kanaltyp: N. Konditionierung: tubus. Kosten): 870pF. Leistung: 280W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 280W. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: 20A, 13A. Td(off): 110 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET, High Efficiency Synchronous R. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 570 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Widerstand auf den Staat: 0.27 Ohms. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 02:45

Technische Dokumentation (PDF)
IRFP460
39 Parameter
Gehäuse
TO-247
ID (T=100°C)
13A
ID (T=25°C)
20A
IDSS (max)
250uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.27 Ohms
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-247AC
Spannung Vds(max)
500V
Anzahl der Terminals
3
Aufladung
210nC
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
4200pF
Drain-Source-Schutz
ja
Drain-Source-Spannung
500V
Funktion
Hochgeschwindigkeitsumschaltung
G-S-Schutz
nein
Gate-Source-Spannung
±20V
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
Herstellerkennzeichnung
IRFP460PBF
IDss (min)
25uA
Id(imp)
80A
Kanaltyp
N
Konditionierung
tubus
Kosten)
870pF
Leistung
280W
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
280W
Polarität
unipolar
RoHS
ja
Strömung abfließen
20A, 13A
Td(off)
110 ns
Td(on)
18 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET, High Efficiency Synchronous R
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
570 ns
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Widerstand auf den Staat
0.27 Ohms
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier

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