N-Kanal-Transistor IRFP450PBF, TO247, 500V, 500V, 0.4 Ohms, 500V

N-Kanal-Transistor IRFP450PBF, TO247, 500V, 500V, 0.4 Ohms, 500V

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N-Kanal-Transistor IRFP450PBF, TO247, 500V, 500V, 0.4 Ohms, 500V. Gehäuse: TO247. Vdss (Drain-Source-Spannung): 500V. Drain-Source-Spannung (Vds): 500V. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Einschaltwiderstand Rds On: 0.4 Ohms. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 500V. Antriebsspannung: 10V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 92 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2600pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 14A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 8.4A. Eigenschaften: -. Einschaltzeit ton [nsec.]: 17 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Gate/Source-Spannung Vgs max: -20V. Herstellerkennzeichnung: IRFP450PBF. Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom): 14A. Information: -. Kanaltyp: N. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leistung: 180W. MSL: -. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 190W. Maximaler Drainstrom: 14A. Montageart: THT. Pd (Verlustleistung, max): 190W. Polarität: MOSFET N. RoHS: ja. Serie: IRFP. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay (ir). Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 21:42

Technische Dokumentation (PDF)
IRFP450PBF
30 Parameter
Gehäuse
TO247
Vdss (Drain-Source-Spannung)
500V
Drain-Source-Spannung (Vds)
500V
Einschaltwiderstand Rds On
0.4 Ohms
Drain-Source-Spannung Uds [V]
500V
Antriebsspannung
10V
Anzahl der Terminals
3
Ausschaltverzögerung tf[nsec.]
92 ns
Ciss-Gate-Kapazität [pF]
2600pF
Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen
14A
Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.4 Ohms @ 8.4A
Einschaltzeit ton [nsec.]
17 ns
Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]
4 v
Gate/Source-Spannung Vgs max
-20V
Herstellerkennzeichnung
IRFP450PBF
Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom)
14A
Kanaltyp
N
Komponentenfamilie
MOSFET, N-MOS
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Leistung
180W
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
190W
Maximaler Drainstrom
14A
Montageart
THT
Pd (Verlustleistung, max)
190W
Polarität
MOSFET N
RoHS
ja
Serie
IRFP
Transistortyp
MOSFET-Leistungstransistor
Originalprodukt vom Hersteller
Vishay (ir)