N-Kanal-Transistor IRFP4227, 46A, 65A, 1mA, 0.021 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V

N-Kanal-Transistor IRFP4227, 46A, 65A, 1mA, 0.021 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V

Menge
Stückpreis
1-4
5.26€
5-9
4.62€
10-24
4.21€
25-49
3.94€
50+
3.50€
Menge auf Lager: 37

N-Kanal-Transistor IRFP4227, 46A, 65A, 1mA, 0.021 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. ID (T=100°C): 46A. ID (T=25°C): 65A. IDSS (max): 1mA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.021 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 200V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -40...+175°C. C(in): 4600pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: PDP MOSFET. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 20uA. Id(imp): 260A. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Kosten): 460pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 330W. RoHS: ja. Td(off): 21 ns. Td(on): 33 ns. Technologie: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Temperatur: +175°C. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 02:45

Technische Dokumentation (PDF)
IRFP4227
33 Parameter
ID (T=100°C)
46A
ID (T=25°C)
65A
IDSS (max)
1mA
Einschaltwiderstand Rds On
0.021 Ohms
Gehäuse
TO-247
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-247AC
Spannung Vds(max)
200V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-40...+175°C
C(in)
4600pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
PDP MOSFET
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
IDss (min)
20uA
Id(imp)
260A
Kanaltyp
N
Konditionierung
Kunststoffrohr
Konditionierungseinheit
25
Kosten)
460pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
330W
RoHS
ja
Td(off)
21 ns
Td(on)
33 ns
Technologie
HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH
Temperatur
+175°C
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
100 ns
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier