N-Kanal-Transistor IRFP3710, 40A, 57A, 250uA, 0.026 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V

N-Kanal-Transistor IRFP3710, 40A, 57A, 250uA, 0.026 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V

Menge
Stückpreis
1-4
3.11€
5-24
2.63€
25-49
2.30€
50-74
2.05€
75+
1.79€
Gleichwertigkeit vorhanden
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N-Kanal-Transistor IRFP3710, 40A, 57A, 250uA, 0.026 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. ID (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 57A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.026 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 100V. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 3000pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 180A. Kanaltyp: N. Kosten): 640pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Td(off): 58 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 210 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 02:45

Technische Dokumentation (PDF)
IRFP3710
28 Parameter
ID (T=100°C)
40A
ID (T=25°C)
57A
IDSS (max)
250uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.026 Ohms
Gehäuse
TO-247
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-247AC
Spannung Vds(max)
100V
Betriebstemperatur
-55...+175°C
C(in)
3000pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
Hochgeschwindigkeitsumschaltung
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
IDss (min)
25uA
Id(imp)
180A
Kanaltyp
N
Kosten)
640pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
200W
Td(off)
58 ns
Td(on)
14 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
210 ns
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier

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